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SI2371EDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.8A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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SI2371EDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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6000+:￥0.4295 3000+:￥0.4595 500+:￥0.5095 150+:￥0.6218 50+:￥0.7117 5+:￥0.9217 |
11190 |
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立创商城
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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3000+:￥0.441 1+:￥0.471 |
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圣禾堂
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威世(VISHAY)
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SOT-23
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30000+:￥0.4477 6000+:￥0.4834 3000+:￥0.5088 800+:￥0.7123 200+:￥1.0176 10+:￥1.6562 |
9000 |
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油柑网
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.45864 1+:￥0.48984 |
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1-2工作日发货
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硬之城
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Vishay(威世)
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200+:￥0.5709 70+:￥0.8283 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 毫欧 @ 3.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 35 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta），1.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |