FDS6681Z
onsemi(安森美)
SO-8
¥2.71
53,707
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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FDS6681Z
ON(安森美)
8-SOIC

2500+:¥2.66

1+:¥2.77

1422

24+
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FDS6681Z
onsemi(安森美)
SO-8

1000+:¥2.71

500+:¥2.87

100+:¥3.18

30+:¥3.7

10+:¥4.23

1+:¥5.28

2088

-
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FDS6681Z
ON(安森美)
SOIC-8

5000+:¥3.2953

1000+:¥3.3418

500+:¥3.3883

100+:¥3.4286

10+:¥3.472

50951

25+
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FDS6681Z
ON(安森美)
SOIC-8

100+:¥3.355

20+:¥4.015

422

-
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FDS6681Z
ON(安森美)
SOIC-8

2500+:¥2.7664

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