SSM3K15AMFV,L3F
TOSHIBA(东芝)
SOT-723
¥0.1
35,786
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4V
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SSM3K15AMFV,L3F(T
TOSHIBA(东芝)
SOT-723

8000+:¥0.1

1+:¥0.122

8000

25+
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SSM3K15AMFV,L3F(T
Toshiba(东芝)
SOT-723

8000+:¥0.104

1+:¥0.12688

7997

25+
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SSM3K15AMFV,L3F(T
Toshiba(东芝)
--

8000+:¥0.104

4000+:¥0.12688

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1+:¥0.57096

8000

--
1-3工作日
SSM3K15AMFV,L3F(T
TOSHIBA(东芝)
SOT-723

2000+:¥0.1116

600+:¥0.1271

200+:¥0.1528

20+:¥0.1991

6320

-
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SSM3K15AMFV,L3F(T
TOSHIBA
VESM

600+:¥0.1164

200+:¥0.1358

1+:¥0.1815

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2213
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.6 欧姆 @ 10mA,4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 100µA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 13.5 pF @ 3 V
功率耗散(最大值) 150mW(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-723