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NVMFS5A160PLZT1G
onsemi(安森美)
SO-8FL
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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NVMFS5A160PLZT1G
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onsemi(安森美)
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SO-8FL
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1500+:￥11.22 500+:￥11.32 100+:￥11.53 30+:￥14.01 10+:￥14.46 1+:￥15.21 |
3862 |
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立即发货
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立创商城
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NVMFS5A160PLZT1G
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ON(安森美)
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SO-8FL
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1500+:￥11.8 1+:￥12.09 |
191 |
23+
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立即发货
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圣禾堂
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NVMFS5A160PLZT1G
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onsemi(安森美)
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DFN-5(5.9x4.9)
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500+:￥12.2 100+:￥12.3 20+:￥12.8 1+:￥14.6 |
1500 |
23+
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在芯间
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NVMFS5A160PLZT1G
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ON(安森美)
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SO-8FL
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1500+:￥12.272 1+:￥12.5736 |
183 |
23+
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1-2工作日发货
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硬之城
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NVMFS5A160PLZT1G
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安森美(onsemi)
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DFN-5(5.9x4.9)
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15000+:￥12.98 3000+:￥14.0125 1500+:￥14.75 500+:￥20.65 200+:￥29.5 10+:￥48.0113 |
191 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.7 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.6V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 160 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7700 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），200W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN，5 引线 |