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STW26NM60N
ST(意法半导体)
TO-247-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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渠道
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STW26NM60N
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ST(意法半导体)
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TO-247-3
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600+:￥4.83 1+:￥5.05 |
446 |
2年内
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立即发货
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圣禾堂
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STW26NM60N
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ST(意法半导体)
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TO-247AC-3
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600+:￥5.0232 1+:￥5.252 |
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25+
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硬之城
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STW26NM60N
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ST(意法半导体)
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TO-247AC-3
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600+:￥5.0232 1+:￥5.252 |
438 |
2年内
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硬之城
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STW26NM60N
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意法半导体(ST)
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TO-247AC-3
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300+:￥5.555 60+:￥5.9969 30+:￥6.3125 15+:￥8.8375 5+:￥12.625 1+:￥20.5472 |
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油柑网
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STW26NM60N
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ST(意法半导体)
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TO-247
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10+:￥5.555 7+:￥7.227 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 165 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 60 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1800 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 140W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |