BSS84AKW,115
Nexperia(安世)
SC-70
¥0.132
129,815
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):50 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):150mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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BSS84AKW,115
Nexperia(安世)
SC-70

9000+:¥0.1356

6000+:¥0.1441

3000+:¥0.1611

300+:¥0.188

100+:¥0.2171

10+:¥0.2755

6430

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BSS84AKW,115
Nexperia(安世)
SOT-323-3

3000+:¥0.14691

84000

24+
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BSS84AKW,115
NEXPERIA
SOT-323

1500+:¥0.151

200+:¥0.1725

100+:¥0.1843

1+:¥0.2029

27018

2308
现货最快4H发
BSS84AKW,115
安世(Nexperia)
SOT-323

30000+:¥0.1522

6000+:¥0.1644

3000+:¥0.173

800+:¥0.2422

100+:¥0.346

20+:¥0.5631

2754

-
BSS84AKW,115
Nexperia(安世)
SOT-323

1000+:¥0.1582

400+:¥0.1598

200+:¥0.1692

100+:¥0.1954

10+:¥0.242

2925

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 150mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 7.5 欧姆 @ 100mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.35 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 36 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 260mW(Ta),830mW(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-70,SOT-323