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SQ2308CES-T1_GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.3A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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SQ2308CES-T1_GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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6000+:￥0.769 3000+:￥0.8193 500+:￥0.9031 150+:￥1.0913 50+:￥1.3353 5+:￥1.6873 |
15330 |
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VISHAY(威世)
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SOT-23（TO-236AB）
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3000+:￥0.819 1+:￥0.864 |
100 |
23+
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圣禾堂
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Vishay(威世)
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SOT-23
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3000+:￥0.85176 1+:￥0.89856 |
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24+
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硬之城
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SQ2308CES-T1_GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.9009 1500+:￥0.9504 750+:￥1.0076 100+:￥1.133 40+:￥1.419 |
3040 |
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3天-15天
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唯样商城
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SQ2308CES-T1_GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23
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1000+:￥0.935 500+:￥0.9775 100+:￥1.037 30+:￥1.1645 10+:￥1.2495 1+:￥1.377 |
941 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.3A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 150 毫欧 @ 2.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 5.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 205 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |