咨询/建议
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.9A（Ta），50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
FET 类型：4 个 N 通道，FET 功能：标准，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14.8A（Ta），不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：22 毫欧 @ 10A，10V，不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：115mA，导通电阻(RDS(on))：3Ω@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.5A，导通电阻(RDS(on))：82mΩ@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：73mΩ@1.8V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300mA（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@10V,8A
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：510mA，导通电阻(RDS(on))：1Ω@10V
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.3A，导通电阻(RDS(on))：135mΩ@4.5V
不适用于新设计
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：200V，连续漏极电流(Id)：1A，导通电阻(RDS(on))：1.9Ω@10V,1A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：68mΩ@10V,12A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：90mΩ@10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：11.8A，导通电阻(RDS(on))：11.5mΩ@10V,11A
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：1.5A，导通电阻(RDS(on))：150mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：55V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：75mΩ@10V,5A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：70mΩ@4.5V,3A
停产
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A（Ta），27A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：145A，导通电阻(RDS(on))：1.5mΩ@10V，耗散功率(Pd)：50W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：45A，导通电阻(RDS(on))：17mΩ@10V,20A
漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：6.5A，导通电阻(RDS(on))：62mΩ@4.5V,4.5A，耗散功率(Pd)：2W
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：18A，导通电阻(RDS(on))：10.5mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：120A，导通电阻(RDS(on))：3mΩ@10V,20A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：25A，导通电阻(RDS(on))：38mΩ@10V；43mΩ@4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：500 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：150 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：120A，导通电阻(RDS(on))：2.3mΩ@10V；3.2mΩ@4.5V
FET 类型：2 个 P 沟道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.3A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：58 毫欧 @ 2.9A，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：10.6mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：80V，连续漏极电流(Id)：84A，导通电阻(RDS(on))：3.7mΩ@10V,50A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：150 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：47A，导通电阻(RDS(on))：70mΩ@10V,30A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：70A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@10V,35A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@2.5V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：2.5Ω@4.5V，耗散功率(Pd)：350mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3.3A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@4.5V；62mΩ@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：3Ω@5V,0.4A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.3A，导通电阻(RDS(on))：140mΩ@3.3V,1A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：180mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：170mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.4A，导通电阻(RDS(on))：36mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：49mΩ@2.5V，耗散功率(Pd)：1.4W
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：110mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：1W