CR4N65A4K
CRMICRO(华润微)
TO-252
¥0.39
51,852
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):650V,连续漏极电流(Id):4A,导通电阻(RDS(on)):2.8Ω@10V
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CR4N65A4K
CRMICRO(华润微)
TO-252

2500+:¥0.39

1+:¥0.425

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22+
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CR4N65A4K
CRMICRO(华润微)
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2500+:¥0.4056

1+:¥0.442

4635

22+
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CR4N65A4K
CRMICRO(华润微)
TO-252

2500+:¥0.4056

1250+:¥0.442

110+:¥0.4868

4649

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3天-15天
CR4N65A4K
华润微(CRMICRO)
TO-252-2

25000+:¥0.429

5000+:¥0.4632

2500+:¥0.4875

800+:¥0.6825

200+:¥0.975

10+:¥1.5869

4649

-
CR4N65A4K
CRMICRO(华润微)
TO-252

5000+:¥0.4737

2500+:¥0.5026

500+:¥0.5608

150+:¥0.669

50+:¥0.7558

5+:¥0.9581

6010

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规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 650V
连续漏极电流(Id) 4A
导通电阻(RDS(on)) 2.8Ω@10V