AON7410
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
DFN-8(3x3)
¥0.301
26,373
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A(Ta),24A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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AON7410
AOS
DFN3X3

2500+:¥0.301

500+:¥0.375

50+:¥0.418

5+:¥0.542

4600

21+/20+
AON7410
AOS
DFN-8(3x3)

500+:¥0.378

150+:¥0.4213

50+:¥0.479

5+:¥0.5943

1715

-
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AON7410
AOS
DFN-8(3x3)

50000+:¥0.4122

10000+:¥0.445

5000+:¥0.4684

1000+:¥0.6558

300+:¥0.9368

10+:¥1.5246

20000

-
AON7410
AOS(美国万代)
DFN8_3X3MM_EP

500+:¥0.4203

100+:¥0.4325

10+:¥0.4937

1+:¥0.5141

53

-
立即发货
AON7410
Alpha & Omega Semiconductor
DFN-3,DFN-8

9000+:¥0.285

6000+:¥0.29

3000+:¥0.295

335000

-
5-7工作日

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9.5A(Ta),24A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 20 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 12 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 660 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),20W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN