NTK3134NT1G
onsemi(安森美)
SOT-723
¥0.3432
36,999
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):750mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V
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NTK3134NT1G
ON(安森美)
SOT-723-3

4000+:¥0.33

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NTK3134NT1G
ON(安森美)
SOT-723

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onsemi(安森美)
SOT-723

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50+:¥0.5497

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安森美(onsemi)
SOT-723

40000+:¥0.363

8000+:¥0.3918

4000+:¥0.4125

1000+:¥0.5775

100+:¥0.825

20+:¥1.3427

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ON(安森美)
SOT-723

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90+:¥0.6193

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 750mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 350 毫欧 @ 890mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA
Vgs(最大值) ±6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 120 pF @ 16 V
功率耗散(最大值) 310mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-723