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ASDM30N55E-R
ASDsemi(安森德)
DFN3.3x3.3-8
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：55A，导通电阻(RDS(on))：4.8mΩ@10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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ASDM30N55E-R
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ASDsemi(安森德)
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DFN3.3x3.3-8
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2500+:￥0.3728 500+:￥0.4278 150+:￥0.4863 50+:￥0.5643 5+:￥0.7203 |
3545 |
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立创商城
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ASDM30N55E-R
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ASDsemi(安森德)
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DFN8_3.3X3.3MM
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5000+:￥0.56 2000+:￥0.575 500+:￥0.6 300+:￥0.65 100+:￥0.7 1+:￥0.75 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 55A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V |