咨询/建议
HYG006N04LS1TA
HUAYI(华羿微)
TOLL
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：600A，导通电阻(RDS(on))：0.75mΩ@4.5V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
HYG006N04LS1TA
|
HUAYI(华羿微)
|
TOLL
|
1000+:￥5.5 500+:￥5.72 100+:￥6.22 30+:￥8.61 10+:￥9.59 1+:￥11.37 |
3640 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
HYG006N04LS1TA
|
HUAYI(华羿微)
|
TOLL
|
500+:￥5.71 100+:￥6.21 20+:￥8.58 1+:￥9.55 |
1200 |
22+/23+
|
在芯间
|
|
|
HYG006N04LS1TA
|
HUAYI(华羿微)
|
TOLL
|
1200+:￥5.5 1+:￥5.7 |
0 |
-
|
立即发货
|
圣禾堂
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 600A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.75mΩ@4.5V |