咨询/建议
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：13A，导通电阻(RDS(on))：110mΩ@4.5V,8A，耗散功率(Pd)：60W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.4A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 和 P 沟道互补型，FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：12V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.1A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：34 毫欧 @ 4.6A，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：33A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@10V,15A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.1A（Ta），18A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：25 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Ta），40A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：35mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：85A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：35mΩ@10V,10A
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：160A，导通电阻(RDS(on))：3.2mΩ@10V，耗散功率(Pd)：280W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：150A，导通电阻(RDS(on))：2.4mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.3A（Ta），18A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：7A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@10V；65mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100A，导通电阻(RDS(on))：4mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：250 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：265mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：3.5V，10V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：46A，导通电阻(RDS(on))：9.7mΩ@10V,40A，耗散功率(Pd)：36W
FET 类型：2 个 P 沟道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.9A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：58 毫欧 @ 4.9A，10V
类型：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@10V,16A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：60V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.3A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：58 毫欧 @ 4.3A，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：56A，导通电阻(RDS(on))：10mΩ@10V；13mΩ@4.5V
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：40V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：11.3 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：38A，导通电阻(RDS(on))：12.5mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：43.1W
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.7A，3.1A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：68 毫欧 @ 3.7A，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：147A，导通电阻(RDS(on))：2.4mΩ@10V,20A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：42A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：150 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：12.5mΩ@10V,40A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：42A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：60V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.5A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：41 毫欧 @ 5.3A，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：600V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：190mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：195A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：200V，连续漏极电流(Id)：90A，导通电阻(RDS(on))：24mΩ@10V
不适用于新设计
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21A（Ta），85A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：200A，导通电阻(RDS(on))：0.8mΩ@10V,100A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：38A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：150V，工作温度：-55℃~+175℃
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：37.1A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：240A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：100A，导通电阻(RDS(on))：3.2mΩ@4.5V,50A