FDMA1032CZ
onsemi(安森美)
VDFN-6(2x2)
¥1.2771
82,441
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 和 P 沟道,FET 功能:逻辑电平门,漏源电压(Vdss):20V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.7A,3.1A,不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):68 毫欧 @ 3.7A,4.5V
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VDFN-6(2x2)

1000+:¥1.2771

500+:¥1.3167

100+:¥1.6632

30+:¥1.83

10+:¥1.96

1+:¥2.25

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ON(安森美)
MicroFET-6

3000+:¥1.7232

1000+:¥1.7552

500+:¥1.7872

100+:¥1.8176

10+:¥1.84

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23+
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ON(安森美)
6-MicroFET(2x2)

3000+:¥2.05

1+:¥2.14

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ON SEMICONDUCTOR
6-WDFN

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5+:¥3.5261

1+:¥3.8789

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安森美(onsemi)
VDFN-6(2x2)

1000+:¥4.1867

500+:¥4.8147

100+:¥5.2334

30+:¥5.8614

10+:¥7.1174

1+:¥8.3734

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.7A,3.1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 68 毫欧 @ 3.7A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 6nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 340pF @ 10V
功率 - 最大值 700mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-VDFN 裸露焊盘