DMC1030UFDBQ-7
DIODES(美台)
UDFN2020-6
¥0.9
6,174
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 和 P 沟道互补型,FET 功能:标准,漏源电压(Vdss):12V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.1A,不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):34 毫欧 @ 4.6A,4.5V
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DMC1030UFDBQ-7
DIODES(美台)
UDFN2020-6

1000+:¥0.9

500+:¥0.945

100+:¥1.035

30+:¥1.188

10+:¥1.6335

1+:¥2.3725

232

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DMC1030UFDBQ-7
DIODES(美台)
U-DFN2020-6

3000+:¥1.1

1+:¥1.16

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DMC1030UFDBQ-7
Diodes(美台)
DFN2020-B-6

3000+:¥1.144

1+:¥1.2064

2967

23+
1-2工作日发货
DMC1030UFDBQ-7
Diodes(达尔)
U-DFN2020-6(B 类)

1500+:¥1.276

750+:¥1.353

100+:¥1.518

30+:¥1.892

2975

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3天-15天
DMC1030UFDBQ-7
美台(DIODES)
UDFN2020-6

1000+:¥1.768

500+:¥2.0332

100+:¥2.21

30+:¥2.4752

10+:¥3.0056

1+:¥3.536

0

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 和 P 沟道互补型
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 34 毫欧 @ 4.6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 23.1nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1003pF @ 6V
功率 - 最大值 1.36W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘