咨询/建议
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：340mA，导通电阻(RDS(on))：3Ω@4.5V,200mA
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：1.3A，导通电阻(RDS(on))：500mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：75mΩ@2.5V，耗散功率(Pd)：1.7W
漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：140mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.6A，导通电阻(RDS(on))：46mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：12V，连续漏极电流(Id)：3.5A，导通电阻(RDS(on))：88mΩ@1.8V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：14mΩ@2.5V
漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：4.3Ω@10V，耗散功率(Pd)：32W
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：50 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：130mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V
漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：3.5A，导通电阻(RDS(on))：140mΩ@4.5V；96mΩ@10V，耗散功率(Pd)：1.5W
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：750mA，导通电阻(RDS(on))：800mΩ@1.8V，阈值电压(Vgs(th))：1.1V@250uA
漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：3.5A，导通电阻(RDS(on))：180mΩ@4.5V,1A，耗散功率(Pd)：1.5W
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：90A，导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ@10V，耗散功率(Pd)：65W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：10mΩ@10V,30A
不适用于新设计
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：10.8mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@4.5V,6A，耗散功率(Pd)：1.8W
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：800mA，导通电阻(RDS(on))：1.5Ω@1.2V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：540mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：950mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：350 毫欧 @ 950mA，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：16mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：2.5W
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：950mA，530mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：350 毫欧 @ 950mA，4.5V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：7A，导通电阻(RDS(on))：23mΩ@4.5V；28mΩ@2.5V，耗散功率(Pd)：2W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：16A；14A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@10V,14A
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：6.5A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@10V；34mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100A，导通电阻(RDS(on))：7mΩ@4.5V,30A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：36A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@4.5V,4A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：70mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：2.7Ω@10V,2A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：36.7A，导通电阻(RDS(on))：9mΩ@10V；12.5mΩ@4.5V
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：15mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：16mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：5.3A，导通电阻(RDS(on))：0.046mΩ@10V，耗散功率(Pd)：2W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：70A，导通电阻(RDS(on))：10mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：230mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V，10V