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SI2333DS-T1-E3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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SI2333DS-T1-E3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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500+:￥4.6475 300+:￥4.7338 100+:￥5.165 50+:￥5.807 20+:￥7.7426 |
574 |
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3周-4周
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唯样商城
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SI2333DS-T1-E3
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VISHAY
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SOT-23
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1000+:￥2.4324 100+:￥2.6754 1+:￥3.4692 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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SI2333DS-T1-E3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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30+:￥2.95 10+:￥3.37 1+:￥4.21 |
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立即发货
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立创商城
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威世(VISHAY)
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SOT-23
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1000+:￥3.2267 500+:￥3.7107 100+:￥4.0334 30+:￥4.5174 10+:￥5.4854 1+:￥6.4534 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 12 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 32 毫欧 @ 5.3A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 18 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1100 pF @ 6 V |
| 功率耗散（最大值） | 750mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |