咨询/建议
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：950 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Ta），14A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：1050 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，耗散功率(Pd)：150W，工作温度：-55℃~+175℃
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：150A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：950 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17.5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：49A（Ta），380A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：180A，导通电阻(RDS(on))：2.4mΩ@10V,100A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：90A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：180A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：340mA，耗散功率(Pd)：350mW
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.8A，导通电阻(RDS(on))：96mΩ@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：450mA，导通电阻(RDS(on))：2Ω@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：340mA，导通电阻(RDS(on))：5.3Ω@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：27mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：130mA，导通电阻(RDS(on))：10Ω@5V，耗散功率(Pd)：225mW
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.8A，导通电阻(RDS(on))：142mΩ@2.5V，耗散功率(Pd)：350mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：360mA，导通电阻(RDS(on))：1.5Ω@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：200mA，导通电阻(RDS(on))：5.5Ω@4.5V,200mA
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：54mΩ@2.5V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：1.1Ω@4.5V,200mA
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：4Ω@4.5V，耗散功率(Pd)：200mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：800mA，导通电阻(RDS(on))：150mΩ@2.5V,0.5A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：65mΩ@10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：1.85Ω@10V；2.05Ω@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，导通电阻(RDS(on))：27mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：1.25W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：320mA，导通电阻(RDS(on))：3Ω@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：28mΩ@4.5V；50mΩ@1.8V；42mΩ@2.5V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：52mΩ@2.5V,4A，耗散功率(Pd)：350mW
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3.5A，导通电阻(RDS(on))：65mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100mA，导通电阻(RDS(on))：8Ω@4V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：170mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：410mA，导通电阻(RDS(on))：1.5Ω@10V；1.6Ω@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：250mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.1A，导通电阻(RDS(on))：120mΩ@4.5V,1A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：50mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：87mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：250mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：115mA（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：130mA，导通电阻(RDS(on))：10Ω@5.0V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：65mΩ@2.5V,2A
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：50mΩ@10V，耗散功率(Pd)：350mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：28mΩ@10V,5.8A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：90mΩ@2.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：210mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.1A，导通电阻(RDS(on))：115mΩ@2.5V,3.1A，耗散功率(Pd)：200mW
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.8A，导通电阻(RDS(on))：65mΩ@2.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V