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TI(德州仪器)
PDFN-8(3x3.2)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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TI(德州仪器)
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PDFN-8(3x3.2)
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1000+:￥3.0458 500+:￥3.2204 250+:￥3.5599 30+:￥4.63 10+:￥5.22 1+:￥6.4 |
846 |
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立创商城
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Texas Instruments
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VSONP-8
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3000+:￥3.3488 2000+:￥3.4385 |
123570 |
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10-12工作日
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云汉芯城
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德州仪器(TI)
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PDFN-8(3x3.2)
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2500+:￥1.6644 500+:￥1.7968 250+:￥1.8914 100+:￥2.648 20+:￥3.7828 5+:￥6.1565 |
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油柑网
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TI(德州仪器)
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8-VSONP（3x3.15）
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100+:￥3.08 1+:￥3.64 |
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圣禾堂
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TI(德州仪器)
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VSONP-8
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1000+:￥5.75 500+:￥5.75 200+:￥6.44 1+:￥7.69 |
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19+/20+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.8 毫欧 @ 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.7V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 54 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3640 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.8W（Ta），63W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China;Japan |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN;Aizuwakamatsu, JP |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | External:China |
| 封装地（城市）(ASO) | External:1 |