AOD4132
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
TO-252-2(DPAK)
¥1.352
28,196
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):85A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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AOD4132
AOS(美国万代)
TO-252-3

2500+:¥1.352

1+:¥1.4248

779

5年内
1-2工作日发货
AOD4132
AOS
TO-252-2(DPAK)

25000+:¥1.43

5000+:¥1.5438

2500+:¥1.625

800+:¥2.275

200+:¥3.25

10+:¥5.2894

784

-
AOD4132
AOS(美国万代)
TO-252

100+:¥1.727

30+:¥2.233

784

-
3天-15天
AOD4132
AOS(美国万代)
TO-252(DPAK)

100+:¥1.7798

30+:¥1.8835

10+:¥1.9181

1+:¥2.0909

2400

-
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AOD4132
AOS(美国万代)
TO-252

2500+:¥1.8

1000+:¥2.2785

100+:¥2.6471

1+:¥3.6735

359

-
3天-5天

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 85A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 76 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4400 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),100W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63