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FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21A（Ta），75A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：69V，连续漏极电流(Id)：90A，导通电阻(RDS(on))：7.2mΩ@10V,30A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：850mΩ@10V,6A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：150A，导通电阻(RDS(on))：2.7mΩ@4.5V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：68mΩ@10V,4A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：130A，耗散功率(Pd)：96W
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：23 毫欧 @ 7A，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：85A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：9mΩ@10V，耗散功率(Pd)：110W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.7A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：100A，导通电阻(RDS(on))：6mΩ@10V,20A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：450mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：32A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：18A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@10V,16A
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：40V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：6.8 毫欧 @ 20A，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：45A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@10V
类型：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：60A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：120A，导通电阻(RDS(on))：5mΩ@4.5V,60A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：25A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：2 个 N 通道（半桥），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A，不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250µA
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：150A，导通电阻(RDS(on))：1.75mΩ@10V,75A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：155A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：900 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.8A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
漏源电压(Vdss)：500V，连续漏极电流(Id)：25A，导通电阻(RDS(on))：166mΩ@10V,12.5A，耗散功率(Pd)：270W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：25 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：33A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：600V，连续漏极电流(Id)：13A，导通电阻(RDS(on))：360mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：800 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：150A，导通电阻(RDS(on))：5.5mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12.5A（Ta），50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：530A，导通电阻(RDS(on))：0.55mΩ@10V,80A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，导通电阻(RDS(on))：4.7mΩ@10V,90A，耗散功率(Pd)：125W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：180A，导通电阻(RDS(on))：3mΩ@10V,100A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：300A，导通电阻(RDS(on))：0.37mΩ@10V,150A
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：200V，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7 欧姆 @ 1A，10V，不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Ta），61A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：23A（Ta）， 192A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.6A，导通电阻(RDS(on))：85mΩ@4.5V,2.6A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：220mA，导通电阻(RDS(on))：2Ω@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100mA，导通电阻(RDS(on))：13Ω@2.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：4Ω@4.5V，耗散功率(Pd)：350mW
漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：170mA，导通电阻(RDS(on))：10Ω@4.5V，耗散功率(Pd)：250mW
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4A，耗散功率(Pd)：1.5W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.3A，导通电阻(RDS(on))：37mΩ@2.5V,3A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：41mΩ@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：54mΩ@2.5V