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IRFS7534TRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：195A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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封装
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价格(含税)
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IRFS7534TRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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100+:￥4.97 30+:￥5.87 10+:￥6.66 1+:￥8.09 |
431 |
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立创商城
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IRFS7534TRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-263
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500+:￥9.15 100+:￥9.52 20+:￥10.83 1+:￥13.68 |
1000 |
20+
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在芯间
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Infineon(英飞凌)
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TO-263-7
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800+:￥3.8 1+:￥3.97 |
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21+
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圣禾堂
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英飞凌(INFINEON)
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D2PAK
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8000+:￥4.18 1600+:￥4.5125 800+:￥4.75 400+:￥6.65 100+:￥9.5 10+:￥15.4613 |
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油柑网
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3
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800+:￥3.952 100+:￥4.1288 1+:￥5.148 |
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 195A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.4 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 279 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10034 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 294W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片） |