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FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：80mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：6.8mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：16A，导通电阻(RDS(on))：4.8mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
漏源电压(Vdss)：600V，连续漏极电流(Id)：30mA，导通电阻(RDS(on))：700Ω@10V，耗散功率(Pd)：500mW
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：115mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：22mΩ@10V，耗散功率(Pd)：120W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.8A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@4.5V
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.6A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：23 毫欧 @ 7.6A，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@4.5V
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：4.5A；3.2A，耗散功率(Pd)：2W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：32A，导通电阻(RDS(on))：12mΩ@10V,15A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：13A，导通电阻(RDS(on))：12mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：25A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，8V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：7mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：65A，耗散功率(Pd)：48W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：95mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：7A，导通电阻(RDS(on))：28mΩ@4.5V,7A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：8A，导通电阻(RDS(on))：17mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，导通电阻(RDS(on))：42mΩ@10V，耗散功率(Pd)：10.8W
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：63A，导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ@10V,30A，阈值电压(Vgs(th))：2V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.9A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：90A，导通电阻(RDS(on))：3.88mΩ@10V,10A，耗散功率(Pd)：181W
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：15mΩ@4.5V,16A，耗散功率(Pd)：42W
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：14A，导通电阻(RDS(on))：120mΩ@4.5V,8A，耗散功率(Pd)：60W
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：17A，导通电阻(RDS(on))：52mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：130A，导通电阻(RDS(on))：3.5mΩ@4.5V,20A，耗散功率(Pd)：62.5W
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：95mΩ@10V,3A，耗散功率(Pd)：16W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：45A，导通电阻(RDS(on))：5.8mΩ@10V,20A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Ta），35A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：15mΩ@10V；20mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：68V，连续漏极电流(Id)：81A，导通电阻(RDS(on))：7.1mΩ@10V,40A
漏源电压(Vdss)：60V，导通电阻(RDS(on))：95mΩ@10V,3A，输入电容(Ciss)：637pF，反向传输电容(Crss)：53pF
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：68A，导通电阻(RDS(on))：5.8mΩ@10V,20A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.8A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on))：22mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：115W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：35A，导通电阻(RDS(on))：3.2mΩ@10V,20A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，8V