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IRFR3710ZTRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：42A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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IRFR3710ZTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3(DPAK)
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2000+:￥2.47 1+:￥2.49 |
3744 |
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圣禾堂
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TO-252-2(DPAK)
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2000+:￥2.5688 1+:￥2.5896 |
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25+
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硬之城
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英飞凌(INFINEON)
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TO-252-2(DPAK)
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20000+:￥2.618 4000+:￥2.8263 2000+:￥2.975 500+:￥4.165 200+:￥5.95 10+:￥9.6836 |
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油柑网
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Infineon(英飞凌)
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TO-252
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500+:￥2.67 100+:￥2.97 30+:￥3.47 10+:￥3.99 1+:￥5.01 |
793 |
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Infineon(英飞凌)
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TO252
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500+:￥4.57 100+:￥5.52 20+:￥6.38 1+:￥7.84 |
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21+
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 42A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 18 毫欧 @ 33A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 100 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2930 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 140W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |