FQD50N06-VB
VBsemi(微碧)
TO-252
¥1.862
1,296
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):56A,导通电阻(RDS(on)):10mΩ@10V;13mΩ@4.5V
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渠道
FQD50N06-VB
VBsemi(微碧半导体)
TO-252

1000+:¥1.862

500+:¥1.9665

100+:¥2.337

30+:¥2.698

10+:¥3.0685

1+:¥3.7905

1296

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 56A
导通电阻(RDS(on)) 10mΩ@10V;13mΩ@4.5V