SI9945BDY-T1-GE3
VISHAY(威世)
SO-8
¥1.605
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:2 N-通道(双),FET 功能:逻辑电平门,漏源电压(Vdss):60V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.3A,不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):58 毫欧 @ 4.3A,10V
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SI9945BDY-T1-GE3
VISHAY(威世)
SO-8

2500+:¥1.605

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SI9945BDY-T1-GE3
VISHAY(威世)
8-SO

2500+:¥1.9

1+:¥1.99

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SI9945BDY-T1-GE3
威世(VISHAY)
SO-8

25000+:¥2.09

5000+:¥2.2563

2500+:¥2.375

800+:¥3.325

200+:¥4.75

10+:¥7.7306

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SI9945BDY-T1-GE3
Vishay(威世)
SOIC-8

2500+:¥3.631

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