HXY100P03NF
华轩阳
DFN5X6-8L
¥1.593
699
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):100A,导通电阻(RDS(on)):4mΩ@10V
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HXY100P03NF
HXY MOSFET(华轩阳电子)
DFN5X6-8L

1000+:¥1.593

500+:¥1.692

100+:¥1.953

30+:¥2.25

10+:¥2.556

1+:¥3.159

699

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 100A
导通电阻(RDS(on)) 4mΩ@10V