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FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.8A（Tj），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3.6A，导通电阻(RDS(on))：70mΩ@4.5V,3.6A
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：60V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：115mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7.5 欧姆 @ 50mA，5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：65mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.8A，导通电阻(RDS(on))：130mΩ@1.8V,2.2A
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@4.5V,4A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：230mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：12V，连续漏极电流(Id)：2.6A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.8A，导通电阻(RDS(on))：85mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：52mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.5A，导通电阻(RDS(on))：26mΩ@4.5V,5A
漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：220mA，导通电阻(RDS(on))：9Ω@4.5V，耗散功率(Pd)：300mW
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：59mΩ@2.5V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.4A，导通电阻(RDS(on))：70mΩ@2.5V,1.8A，耗散功率(Pd)：1W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：2.6A，导通电阻(RDS(on))：90mΩ@10V；120mΩ@4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：250mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：600mA，导通电阻(RDS(on))：500mΩ@4V；600mΩ@2.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：110mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：350mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：880mA，导通电阻(RDS(on))：320mΩ@1.8V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.4A，导通电阻(RDS(on))：96mΩ@2.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：750mA，导通电阻(RDS(on))：380mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@10V,5A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：125mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：9A，导通电阻(RDS(on))：16mΩ@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@4.5V
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.3A，导通电阻(RDS(on))：89mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：75mΩ@4.5V,2A，耗散功率(Pd)：1.25W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：590mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：22.5mΩ@10V；34.5mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：550mA，导通电阻(RDS(on))：900mΩ@2.5V，耗散功率(Pd)：280mW
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：330mΩ@4.5V,1.9A，耗散功率(Pd)：1W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：27mΩ@10V,6A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：6.9A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：39mΩ@10V；55mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：800mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：3Ω@5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：115mA（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：12V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：32mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.6A，导通电阻(RDS(on))：46mΩ@10V；54mΩ@4.5V；49mΩ@6V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：50 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：350mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V