咨询/建议
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：7A，导通电阻(RDS(on))：1.18Ω@10V,3.5A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：9.4A，导通电阻(RDS(on))：290mΩ@10V,4.7A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：14A，导通电阻(RDS(on))：110mΩ@10V,5A
漏源电压(Vdss)：55V，连续漏极电流(Id)：44A，导通电阻(RDS(on))：27mΩ@10V，耗散功率(Pd)：107W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：15mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：22A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：45A，耗散功率(Pd)：3.5W
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A，7A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 8A，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.8A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V，20V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on))：35mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：60W
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：9A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：2W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：1.1Ω@10V,2A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：25A，导通电阻(RDS(on))：38mΩ@3V
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：30A；20A，导通电阻(RDS(on))：16mΩ@10V,12A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：29mΩ@10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：7mΩ@10V,8A
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：32.4 毫欧 @ 4A，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：55A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：40mΩ@4.5V,15A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.1A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@10V；23mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：62.5W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：800V，连续漏极电流(Id)：2.4A，导通电阻(RDS(on))：6.3Ω@10V,1.2A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：7A，导通电阻(RDS(on))：1.1Ω@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：600V，连续漏极电流(Id)：120mA，导通电阻(RDS(on))：45Ω@10V,0.12A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.3A（Ta），6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：3.5A，导通电阻(RDS(on))：92mΩ@4.5V
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：485mA，370mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：700 毫欧 @ 600mA，4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：25A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：700V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：1.3Ω@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：600mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.6A（Ta），7.5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：70A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：85A，耗散功率(Pd)：70W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：85V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：6.3mΩ@10V,50A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，导通电阻(RDS(on))：23mΩ@10V,25A，耗散功率(Pd)：29W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：83.5A，导通电阻(RDS(on))：4.3mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：24mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
漏源电压(Vdss)：200V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：340mΩ@10V，阈值电压(Vgs(th))：4V@250uA
停产
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V