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DMPH6050SFGQ-7
DIODES(美台)
PowerDI3333-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.1A（Ta），18A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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DMPH6050SFGQ-7
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DIODES(美台)
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PowerDI3333-8
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100+:￥1.58 30+:￥1.92 10+:￥2.19 1+:￥2.82 |
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立创商城
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DMPH6050SFGQ-7
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Diodes(达尔)
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1000+:￥1.661 100+:￥1.925 30+:￥2.497 |
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3天-15天
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唯样商城
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DMPH6050SFGQ-7
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美台(DIODES)
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PowerVDFN-8
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20000+:￥2.1451 4000+:￥2.3157 2000+:￥2.4376 500+:￥3.4126 200+:￥4.8752 10+:￥7.9344 |
29970 |
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油柑网
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DMPH6050SFGQ-7
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DIODES(美台)
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PowerDI3333-8
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2000+:￥1.45 1+:￥1.51 |
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24+
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圣禾堂
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.1A（Ta），18A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 24.1 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1293 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.2W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |