咨询/建议
SQD40P10-40L_GE3
VISHAY(威世)
TO-252
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：38A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
SQD40P10-40L_GE3
|
VISHAY(威世)
|
TO-252-3
|
2000+:￥4.75 1+:￥4.95 |
3642 |
24+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
SQD40P10-40L_GE3
|
Vishay(威世)
|
TO-252(DPAK)
|
2000+:￥4.94 1+:￥5.148 |
3636 |
24+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
SQD40P10-40L_GE3
|
VISHAY(威世)
|
TO-252
|
1000+:￥5.07 500+:￥5.28 100+:￥5.76 30+:￥6.83 10+:￥7.77 1+:￥9.49 |
3425 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
SQD40P10-40L_GE3
|
威世(VISHAY)
|
TO-252-2(DPAK)
|
20000+:￥5.225 4000+:￥5.6406 2000+:￥5.9375 500+:￥8.3125 200+:￥11.875 10+:￥19.3266 |
3642 |
-
|
油柑网
|
|
|
SQD40P10-40L_GE3
|
Vishay(威世)
|
TO-252
|
2000+:￥5.225 1000+:￥5.445 100+:￥5.984 7+:￥7.183 |
3642 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 38A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 40 毫欧 @ 8.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 144 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5540 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 136W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |