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ZVP4525GTA
DIODES(美台)
SOT-223
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：250 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：265mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：3.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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ZVP4525GTA
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DIODES(美台)
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SOT223
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1000+:￥1.58 1+:￥1.72 |
9556 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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ZVP4525GTA
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美台(DIODES)
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SOT-223
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10000+:￥1.738 2000+:￥1.8763 1000+:￥1.975 500+:￥2.765 100+:￥3.95 10+:￥6.4286 |
9253 |
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油柑网
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ZVP4525GTA
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Diodes(达尔)
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SOT-223-3
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1000+:￥1.738 50+:￥1.892 30+:￥2.453 |
9553 |
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3天-15天
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唯样商城
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ZVP4525GTA
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DIODES(美台)
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SOT-223
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500+:￥3.85 100+:￥4.33 20+:￥4.82 1+:￥5.64 |
200 |
22+
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在芯间
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ZVP4525GTA
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DIODES(美台)
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SOT-223
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7000+:￥1.6933 |
0 |
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 250 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 265mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 3.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14 欧姆 @ 200mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 3.45 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±40V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 73 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |