咨询/建议
BSZ060NE2LSATMA1
Infineon(英飞凌)
TSDSON-8FL
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：25 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Ta），40A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
BSZ060NE2LS
|
英飞凌(INFINEON)
|
TSDSON-8
|
50000+:￥1.4916 10000+:￥1.6103 5000+:￥1.695 1000+:￥2.373 300+:￥3.39 10+:￥5.5172 |
30000 |
-
|
油柑网
|
|
|
BSZ060NE2LSATMA1
|
INFINEON
|
PG-TSDSON-8
|
1+:￥1.6521 |
900 |
-
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
|
BSZ060NE2LS
|
Infineon(英飞凌)
|
TSDSON-8FL
|
30+:￥2.58 10+:￥2.95 1+:￥3.67 |
93 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
BSZ060NE2LSATMA1
|
英飞凌(INFINEON)
|
TSDSON-8
|
5000+:￥1.4332 |
0 |
-
|
油柑网
|
|
|
BSZ060NE2LS
|
INFINEON
|
1+:￥2.8793 |
0 |
-
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 25 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Ta），40A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 9.1 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 670 pF @ 12 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.1W（Ta），26W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |