咨询/建议
SISA14DN-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK1212-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
SISA14DN-T1-GE3
|
VISHAY(威世)
|
PowerPAK1212-8
|
1000+:￥1.85 500+:￥1.96 100+:￥2.18 30+:￥2.54 10+:￥2.91 1+:￥3.65 |
4427 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
SISA14DN-T1-GE3
|
VISHAY(威世)
|
PowerPAK® 1212-8
|
3000+:￥1.85 1+:￥1.94 |
0 |
-
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
SISA14DN-T1-GE3
|
威世(VISHAY)
|
PowerPAK1212-8
|
30000+:￥2.035 6000+:￥2.1969 3000+:￥2.3125 800+:￥3.2375 200+:￥4.625 10+:￥7.5272 |
0 |
-
|
油柑网
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.1 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 29 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | +20V，-16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1450 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.57W（Ta），26.5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |