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HSCB20D03
HUASHUO(华朔)
DFN-6-EP(2x2)
场效应管(MOSFET)
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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HSCB20D03
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HUASHUO(华朔)
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DFN-6-EP(2x2)
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4000+:￥0.3572 2500+:￥0.3791 500+:￥0.4646 150+:￥0.5194 50+:￥0.5923 5+:￥0.7382 |
3835 |
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立即发货
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 2个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 3A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V |