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NTS4173PT1G
onsemi(安森美)
SC-70-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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NTS4173PT1G
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ON(安森美)
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SC-70-3
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3000+:￥0.79159 1000+:￥0.80629 500+:￥0.82099 100+:￥0.83496 10+:￥0.84525 |
35780 |
23+
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现货
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硬之城
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NTS4173PT1G
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onsemi(安森美)
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SC-70-3
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150+:￥1.1539 50+:￥1.3057 5+:￥1.66 |
240 |
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立即发货
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立创商城
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NTS4173PT1G
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onsemi(安森美)
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SC-70-3
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500+:￥0.399 100+:￥0.479 20+:￥1.083 1+:￥1.767 |
0 |
20+
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在芯间
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NTS4173PT1G
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ON SEMICONDUCTOR
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SC-70-3 / SOT-323-3
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1+:￥17.787 |
5 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 150 毫欧 @ 1.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 10.1 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 430 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 290mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |