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FDN5630
onsemi(安森美)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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FDN5630
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ON(安森美)
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SuperSOT-3
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3000+:￥0.62 1+:￥0.667 |
4852 |
24+
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立即发货
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圣禾堂
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FDN5630
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.6448 1+:￥0.69368 |
4844 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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FDN5630
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安森美(onsemi)
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SOT-23-3
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30000+:￥0.6819 6000+:￥0.7363 3000+:￥0.775 800+:￥1.085 200+:￥1.55 10+:￥2.5226 |
4852 |
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油柑网
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FDN5630
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.682 1500+:￥0.7337 200+:￥0.8426 50+:￥1.0967 |
4852 |
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3天-15天
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唯样商城
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FDN5630
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ON(安森美)
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SOT-23
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3000+:￥0.70005 1000+:￥0.71305 500+:￥0.72605 100+:￥0.7384 10+:￥0.7475 |
96046 |
23+
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现货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 1.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 10 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 400 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |