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SSM6J507NU,LF
TOSHIBA(东芝)
UDFNB-6(2x2)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SSM6J507NU,LF
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TOSHIBA(东芝)
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UDFNB-6(2x2)
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500+:￥0.9438 150+:￥1.1455 50+:￥1.3072 5+:￥1.6845 |
2395 |
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立即发货
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立创商城
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SSM6J507NU,LF
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TOSHIBA
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6-UDFN
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1+:￥1.0381 |
327 |
2240
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现货最快4H发
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京北通宇
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SSM6J507NU,LF(B
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Toshiba(东芝)
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1000+:￥2.5298 500+:￥2.5969 300+:￥2.6831 100+:￥3.1143 50+:￥3.7564 30+:￥5.6824 |
1526 |
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3周-4周
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唯样商城
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SSM6J507NU,LF
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东芝(TOSHIBA)
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UDFNB-6(2x2)
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1000+:￥1.4115 500+:￥1.6232 100+:￥1.7644 30+:￥1.9761 10+:￥2.3996 1+:￥2.823 |
0 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 20.4 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | +20V，-25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1150 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.25W（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |