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HXY80N03D
华轩阳
TO-252-2L
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：6.8mΩ@10V
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厂家型号
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价格(含税)
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渠道
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HXY80N03D
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HXY MOSFET(华轩阳电子)
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TO-252-2L
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5000+:￥0.4092 2500+:￥0.4334 500+:￥0.502 150+:￥0.5625 50+:￥0.6431 5+:￥0.8044 |
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 80A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V |