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CSD17318Q2
TI(德州仪器)
WSON-6(2x2)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：25A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，8V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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TI(德州仪器)
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WSON-6(2x2)
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6000+:￥0.4689 3000+:￥0.5 500+:￥0.5518 150+:￥0.675 50+:￥0.7692 5+:￥0.9891 |
855 |
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立即发货
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立创商城
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德州仪器(TI)
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WSON-6
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30000+:￥0.7458 6000+:￥0.8051 3000+:￥0.8475 800+:￥1.1865 100+:￥1.695 20+:￥2.7587 |
17098 |
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油柑网
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TI(德州仪器)
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6-WSON（2x2）
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3000+:￥0.766 1+:￥0.826 |
2950 |
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圣禾堂
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TI(德州仪器)
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WDFN-6 裸露焊盘
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3000+:￥0.79664 1+:￥0.85904 |
2946 |
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硬之城
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TI(德州仪器)
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WDFN-6 裸露焊盘
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3000+:￥0.8519 1000+:￥0.86772 500+:￥0.88354 100+:￥0.89857 10+:￥0.90965 |
800 |
21
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现货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 25A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，8V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15.1 毫欧 @ 8A，8V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 6 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 879 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 16W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China;Japan |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN;Aizuwakamatsu, JP |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:China;Malaysia;Philippines External:China;Thailand |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Chengdu, CN;Melaka, MY;Angeles City, PH External:3 |