咨询/建议
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：1.1A，导通电阻(RDS(on))：385mΩ@10V,1.1A
漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：3.9A，导通电阻(RDS(on))：50mΩ@4.5V,3.5A，耗散功率(Pd)：1.25W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：24A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：85mΩ@4.5V,2A，阈值电压(Vgs(th))：1.6V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1A（Tj），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：86A，导通电阻(RDS(on))：7mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：500mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：3.7A，导通电阻(RDS(on))：73mΩ@4.5V,2A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
漏源电压(Vdss)：40V，耗散功率(Pd)：2W，阈值电压(Vgs(th))：1.5V，输入电容(Ciss)：520pF@20V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：6.5A，导通电阻(RDS(on))：36mΩ@10V,6A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：3.3A，导通电阻(RDS(on))：80mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100A，耗散功率(Pd)：70W
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：8.5A，导通电阻(RDS(on))：42mΩ@4.5V,4A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：230mA，导通电阻(RDS(on))：8Ω@10V,0.16A
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：9A，导通电阻(RDS(on))：17mΩ@4.5V,4A
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@10V，耗散功率(Pd)：2.5W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：42A，导通电阻(RDS(on))：17mΩ@4.5V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：18V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：4.4mΩ@4.5V,3A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：7.5A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@4.5V,5A
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：7A，导通电阻(RDS(on))：28mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：45A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@6V，耗散功率(Pd)：71.4W
漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：900mA，导通电阻(RDS(on))：750mΩ@10V,1A，耗散功率(Pd)：1.1W
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：4.3A，导通电阻(RDS(on))：170mΩ@4.5V,3A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：75A，导通电阻(RDS(on))：12mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：64A，导通电阻(RDS(on))：6.5mΩ@10V,20A，耗散功率(Pd)：56.5W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：110mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.8A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：5.5mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：7.6A，导通电阻(RDS(on))：50mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：6.9mΩ@4.5V,10A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：43A，导通电阻(RDS(on))：7mΩ@10V；10.5mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：150A，导通电阻(RDS(on))：2.4mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21A（Ta），34A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：400mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.7A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：4.4A，导通电阻(RDS(on))：120mΩ@4.5V,3.5A
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：45 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：55A，导通电阻(RDS(on))：9.5mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：32A，导通电阻(RDS(on))：10mΩ@10V；14mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：15A，耗散功率(Pd)：60W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100A，导通电阻(RDS(on))：2.4mΩ@4.5V,30A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：18A，导通电阻(RDS(on))：73mΩ@10V；85mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：75A，导通电阻(RDS(on))：12mΩ@10V，耗散功率(Pd)：3.1W
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：14A，导通电阻(RDS(on))：8.5mΩ@4.5V,8A，耗散功率(Pd)：2W
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：14A，导通电阻(RDS(on))：8.5mΩ@4.5V,8A，耗散功率(Pd)：2W