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DMP6185SE-13
DIODES(美台)
SOT-223
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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DMP6185SE-13
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Diodes(美台)
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SOT-223-3
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2500+:￥0.73736 1+:￥0.79664 |
19308 |
23+
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1-2工作日发货
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硬之城
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DMP6185SE-13
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美台(DIODES)
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SOT-223-4
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25000+:￥0.7711 5000+:￥0.8325 2500+:￥0.8763 800+:￥1.2268 200+:￥1.7526 10+:￥2.8523 |
7500 |
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油柑网
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DMP6185SE-13
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Diodes(达尔)
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SOT-223
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2500+:￥0.7799 1250+:￥0.8426 100+:￥0.9944 40+:￥1.298 |
19215 |
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3天-15天
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唯样商城
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DMP6185SE-13
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DIODES(美台)
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100+:￥1.125 30+:￥1.319 10+:￥1.475 1+:￥1.837 |
2000 |
20+/21+
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在芯间
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DMP6185SE-13
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DIODES(美台)
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SOT-223
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500+:￥1.1435 150+:￥1.3375 50+:￥1.493 5+:￥1.8558 |
1800 |
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立即发货
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 150 毫欧 @ 2.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 14 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 708 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.2W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |