HSCB2903
HUASHUO(华朔)
DFN-6L-EP(2x2)
¥0.371
4,186
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道+1个P沟道,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):5A,导通电阻(RDS(on)):100mΩ@4.5V
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渠道
HSCB2903
HUASHUO(华朔)
DFN-6L-EP(2x2)

4000+:¥0.371

2500+:¥0.3983

500+:¥0.5067

150+:¥0.5747

50+:¥0.6654

5+:¥0.8469

2210

-
立即发货
HSCB2903
HUASHUO(华朔)
DFN-6L_2X2MM-EP

5000+:¥0.392

2000+:¥0.4025

500+:¥0.42

300+:¥0.455

100+:¥0.49

1+:¥0.525

1976

-
立即发货
HSCB2903
HUASHUO/深圳华朔半导体
DFN2*2-6L

500+:¥0.4915

150+:¥0.5592

50+:¥0.6478

5+:¥0.8318

4000

24+
1工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 5A
导通电阻(RDS(on)) 100mΩ@4.5V