咨询/建议
2N7002T
onsemi(安森美)
SOT-523F
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：115mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
2N7002T
|
onsemi(安森美)
|
SOT-523F
|
6000+:￥0.3746 3000+:￥0.3986 500+:￥0.4796 150+:￥0.5398 50+:￥0.6201 5+:￥0.7806 |
1345 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
2N7002T
|
onsemi(安森美)
|
SOT-523F
|
100+:￥0.614 30+:￥0.732 10+:￥0.826 1+:￥1.045 |
6725 |
20+/21+
|
在芯间
|
|
|
2N7002T
|
On Semiconductor/Fairchild
|
SC-89-3
|
150000+:￥0.5472 75000+:￥0.552 15000+:￥0.5568 3000+:￥0.5665 |
42000 |
-
|
5-8工作日
|
云汉芯城
|
|
2N7002T
|
On Semiconductor/Fairchild
|
SC-89-3
|
500+:￥0.851 100+:￥0.9322 60+:￥1.032 |
19897 |
-
|
14-18工作日
|
云汉芯城
|
|
2N7002T
|
ON(安森美)
|
SOT-523F
|
3000+:￥0.58864 1+:￥0.63336 |
8 |
23+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 115mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.5 欧姆 @ 50mA，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 200mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-89，SOT-490 |