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BSS215PH6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.67 1+:￥0.722 |
12651 |
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23
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3000+:￥0.6968 1+:￥0.75088 |
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硬之城
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23
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100+:￥0.7865 30+:￥0.8272 10+:￥0.8407 1+:￥0.9085 |
375 |
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华秋商城
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23
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150+:￥0.7023 50+:￥0.7995 5+:￥1.0263 |
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INFINEON
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PG-SOT23-3-5
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1000+:￥0.4802 500+:￥0.49 1+:￥0.5657 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 150 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 11µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 3.6 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 346 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |