AON3419-HXY
华轩阳
DFN3x3-8L
¥0.5838
933
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):32A,导通电阻(RDS(on)):12mΩ@10V,15A
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AON3419-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
DFN3x3-8L

1000+:¥0.5838

500+:¥0.6931

100+:¥0.7526

30+:¥0.8861

10+:¥0.9932

1+:¥1.243

933

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 32A
导通电阻(RDS(on)) 12mΩ@10V,15A