FQP50N06
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220
¥0.62784
600
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):50A,导通电阻(RDS(on)):22mΩ@10V,耗散功率(Pd):120W
厂家型号
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FQP50N06
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220

5000+:¥0.6278

2000+:¥0.6694

500+:¥0.7385

150+:¥0.8937

50+:¥1.0181

5+:¥1.3992

600

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 50A
导通电阻(RDS(on)) 22mΩ@10V
耗散功率(Pd) 120W