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PMV13XNEAR
Nexperia(安世)
TO-236AB
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，8V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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PMV13XNEAR
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Nexperia(安世)
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TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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3000+:￥0.626 1+:￥0.673 |
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圣禾堂
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Nexperia(安世)
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TO-236AB
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3000+:￥0.6457 1500+:￥0.7425 1000+:￥0.9059 560+:￥1.1596 |
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唯样商城
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Nexperia(安世)
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TO-236AB
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1000+:￥1.08 500+:￥1.15 100+:￥1.27 30+:￥1.55 10+:￥1.77 1+:￥2.28 |
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，8V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15 毫欧 @ 7.3A，8V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 15 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 931 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 610mW（Ta），8.3W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |