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PMPB55XNEAX
Nexperia(安世)
SOT-1220
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.8A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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PMPB55XNEAX
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nexperia
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DFN-2020MD-6
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72000+:￥1.4113 36000+:￥1.4361 18000+:￥1.4608 9000+:￥1.4856 |
9000 |
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2-4周
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云汉芯城
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PMPB55XNEAX
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nexperia
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DFN-2020MD-6
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500+:￥1.8515 100+:￥2.0414 30+:￥2.244 |
330 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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Nexperia(安世)
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6-DFN2020MD（2x2）
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3000+:￥0.976 1+:￥1.03 |
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圣禾堂
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PMPB55XNEAX
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Nexperia(安世)
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SOT1220
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3000+:￥1.0067 1500+:￥1.1577 1000+:￥1.4124 560+:￥1.8079 |
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唯样商城
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Nexperia(安世)
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SOT-1220
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6000+:￥1.1053 3000+:￥1.1745 500+:￥1.2898 150+:￥1.5967 50+:￥1.8108 5+:￥2.3101 |
10 |
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 72 毫欧 @ 3.8A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.25V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 5 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 255 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 550mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |